محققان دانشگاه کالیفرنیا حافظه FTJ جدید را مبتنی بر تکنولوژی ferroelectric tunnelling junction برای افزایش سرعت آپلود، افزایش عمر باتری و کاهش خرابی داده ها طراحی کرده اند.
تکنولوژی FTJ چیست؟
تکنولوژی FTJ سرعت آپلود داده ها را افزایش می دهد، عمر باتری گوشی های هوشمند را افزایش می دهد و خرابی داده ها را کاهش می دهد.
هان وانگ، دانشیار مهندسی برق و کامپیوتر به همراه دانشجویان دکترای این دانشکده، حافظه FTJ جدید را با استفاده از مواد فلزی نامتقارن و گرافن شبه فلز ساخته اند.
با استفاده از این مواد و ایجاد یک ساختار حافظه جدید، می توان کارایی دستگاههای FTJ قبلی را بالا برد و آینده جدیدی را برای دستگاههای الکترونیکی سیلیکونی رقم زد.
دکتر جو کیو، مدیر برنامه دستگاههای الکترونیکی جامد و الکترومغناطیسی در ARO و پشتیبان این پروژه می گوید:این موفقیت تأثیر بسیار خوبی بر روی آینده الکترونیک خواهد داشت به طوریکه سیستمهای الکترونیکی قابل حمل را می توان در اندازه، وزن و انرژی بهبود یافته ای تولید کرد.
مزایای حافظه FTJ جدید
همچنین، توانایی منحصر به فرد این مواد برای نزدیک شدن به ضخامت در مقیاس اتمی، موجب عملکرد سریعتر و با صرفه تر از نظر انرژی در حافظه FTJ شده است.
وانگ می گوید: این مواد سبب شده تا بتوانیم دستگاههای قدرتمندی در مقیاس اتمی بسازیم. به این معنا که ولتاژ مورد نیاز برای خواندن، نوشتن و پاک کردن داده ها به شدت کاهش می یابد و همچنین از نظر مصرف انرژی حافظه هایی با کارایی بالاتری ایجاد می شود.
کاربرد حافظه FTJ
وانگ و محققان این پروژه امیدوارند تا تولید حافظه FTJ جدید بیشتر شود و نه تنها جایگزین حافظه گوشی های موبایل و USB شوند بلکه از آنها به جای حافظه D-RAM در کامپیوترها نیز استفاده شود.
همچنین این حافظه ها برای نگهداری داده های چند بیتی در یک سلول واحد طراحی شده اند. با توجه به قدرت این حافظه ها در برنامه های محاسباتی درون حافظه ای و سایر سخت افزارهای محاسباتی نیز کاربرد دارند.
